Поиск по статьям и новостям

958 найдено:
А-КОНТРАКТ приглашает посетить свой стенд 375 на выставке ЭкспоЭлектроника.  
Март 2019
Получите БЕСПЛАТНЫЙ пригласительный билет на выставку «ЭкспоЭлектроника 2019» - крупнейшую российскую выставку электронных компонентов, модулей и комплектующих!А-КОНТРАКТ приглашает посетить свой стенд 375 в Павильоне №3 Зал №12 на выставке "ЭкспоЭлектроника", которая состоится 15-17 апреля 2019 г. в Москве в выставочном комплексе "Крокус Экспо".Для бесплатного посещени  
Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 3.  
Март 2019
III. ИЗМЕРЕНИЯФорма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного импульсного сигнала RF, из которой видно, что времена нарастания и спада составляют 100 нс и 16 нс соответственно. Для сравнения время нарастания и спада для такого же транзистора с нормальным смещением затвора (то есть без селекторного импульса и посл  
Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 2.  
Март 2019
II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИРис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях. Детектор используется для того, чтобы почувствовать, когда подается радиочастотный сигнал на транзистор. Серийный MOSFET с устройством GaN сначала выключается, напряжение, поданное на затвор устройства GaN, затем устанавливается на требуемую величину  
Мощные полупроводниковые SiC устройства теперь стали еще надёжнее благодаря совместным усилия Mitsubishi Electric и Токийского университета  
Март 2019
Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили специалисты корпорации Mitsubishi Electric и Токийского университета.В основе нового метода повышения надёжности лежит исследование,  в результате которого было доказано, что сера, внедренная под границу подзатворного окисла и SiC, захватывает  
Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 1.  
Февраль 2019
РезюмеВ данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в радиолокационных и авиационных системах. Показано, что смещение класса A/B приводит к общей эффективности, которая как правило на 5-10% меньше чем эффективность во время импульса, а также к генерации значительного дробового шума в период выключения, кото  
Первая 3-нм тестовая микросхема - совместный проект Imec и Cadence.  
Февраль 2019
Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной работы двух организаций была создана первая в отрасли тестовая микросхема, рассчитанная на изготовление по нормам 3 нм. На данный момент изделие проходит стадию подготовки к производству и вскоре будет допущено к промышленному выпуску.По задумке  
Открытие завода А-КОНТРАКТ в Старой Руссе  
Февраль 2019
15 февраля 2019 г. в Старорусском подразделении А-КОНТРАКТ был открыт расширенный филиал контрактного производства по монтажу электронных блоков. Тогда же была запущена и новая установка селективной пайки электронных блоков SEHO SelectLine.Это уже второе производство А-КОНТРАКТ (первое находится в Санкт - Петербурге). Открывшиеся возможности позволят выполнять различные крупносерийные комм  
Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 3.  
Февраль 2019
Снижение перекрестных помехОдин из основных способов снижения перекрестных помех на дальнем конце – это снижение длины связывания между двумя дорожками. В качестве эксперимента длина связывания была уменьшена с 10 дюймов до 5. Был смоделирован еще один нарастающий фронт и результаты этого показаны на Рис.8. Как можно видеть, теперь пик на дальнем конце сократился с -360 мВ до -250 мВ! Величина и  
От нехватки процессоров компанию Intel спасёт технология объемной компоновки логических микросхем  
Февраль 2019
Компания Intel ведёт активные разработки в сфере объемной компоновки микросхем. Об этом специалисты Intel рассказали участникам «Дня архитектуры 2018», который состоялся 12 октября 2018 года. Исследователи Intel уверены: такая технология даст возможность увеличить степень интеграции в условиях, когда проблемы с освоением все более тонких технологических норм поставили под угрозу соблюдение закона  
Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 2.  
Февраль 2019
Так как был создан нарастающий фронт импульса, вопрос состоит в том, почему дальний конец показал отрицательный пик? Согласно закону Ленца, который описывает направление циркуляции тока, индуктивно связанный шум, распространяющийся в направлении дальнего конца, будет показывать отрицательный пик. Также по закону Ленца, индуктивно связанный шум, распространяющийся в направлении ближнего конца, пока  
Созданы самые маленькие транзисторы.  
Февраль 2019
Современные технологии в области микроэлектроники уже давно стоят на границе, по ту сторону которой начинают действовать ограничения, обусловленные минимально допустимыми размерами отдельных частей электронных компонентов. Однако учёные идут по пути решения этой проблемы. Так исследователям из Массачусетского технологического института и Колорадского университета удалось разработать принципиально  
Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 1.  
Январь 2019
ВведениеОдной из самых распространенных проблем, касающихся целостности сигнала, с которой сталкиваются инженеры, - это перекрестные помехи. Они проникают в любую разработку. Перекрестные помехи – это электромагнитные помехи между двумя сигналами, они могут вызвать кратковременные внезапные изменения фазы сигнала, ложное переключение и проблемы с синхронизации. В данной статье мы расскажем об ос  
Специалисты из Калифорнии создали самое маленькое электромеханическое реле в мире.  
Январь 2019
Специалисты из Калифорнийского университета в Беркли разработали наноразмерный быстродействующий электромеханический переключатель (nanoelectromechanical (NEM) relay), своего рода самое маленькое электромеханическое реле, которое имеет стабильную работоспособность, получая напряжение всего в 50 милливольт. Для сравнения: на сегодняшний день для отпирания транзистора, являющегося основой современны  
Стандартные семьи компонентов для печатных плат. Часть 2.  
Январь 2019
Сегодня инженерам и проектировщикам печатных плат доступно большое изобилие компонентов и корпусов для ПП. Любой опытный проектировщик, который создавал платы в 1970х, может вспомнить, когда все было совсем по другому. Часть 2.Том Хаусхерр (Tom Hausherr) CID+, CIT, является президентом PCB Libraries.Ранее была опубликована Часть 1 данного перечня стандартных семей компонентов для печатных пл  
Разработаны российские термостойкие материалы, обладающие низкой диэлектрической проницаемостью.  
Январь 2019
Специалисты «ЦНИТИ «Техномаш» и Российского технологического университета (МИРЭА) разработали совместный проект изготовления отечественных изоляционных материалов для изделий РЭА. Диэлектрические характеристики российской разработки гораздо выше, чем у зарубежных материалов, а её стоимость при этом ниже чуть ли ни в три раза. Ожидается, что, благодаря данным преимуществам, отечественная разработк  
Стандартные семьи компонентов для печатных плат. Часть 1.  
Январь 2019
Сегодня инженерам и проектировщикам печатных плат доступно большое изобилие компонентов и корпусов для ПП. Любой опытный проектировщик, который создавал платы в 1970х, может вспомнить, когда все было совсем по другому. Том Хаусхерр (Tom Hausherr) CID+, CIT, является президентом PCB Libraries.Стандартные семьи компонентов для поверхностного монтажаСегодня инженерам и проектировщикам печатных  
Источники стандартов испытаний HALT для российских производителей электроники.  
Январь 2019
В данной статье будут рассмотрены стандарты, которыми руководствуются при испытании своей продукции такие мировые лидеры рынка электроники, как DELL, General Motors и Airbus.Анатолий Лютов Большинство новых передовых технологий и инструментов на современный российский рынок электроники попадают из стран Европы, Азии и США. Аналогично и с бизнесом. Зачастую изобретения, считающиеся инновацион  
Практическое руководство по проектированию высокоскоростных печатных плат и систем. Часть 2  
Январь 2019
Графики на Рис.19.2 начинают напоминать набор ослабленных синусоидальных волн. Они все еще являются результатом отражений. Линия, на которую они отражаются, стала такой короткой, что не достаточно времени увидеть «плоские» части, которые были видны на Рис. 19.1. Но линия все еще достаточно длинная, чтобы напряжению хватило времени удвоиться на конце нагрузки линии. Очевидно, что при таком отношени  
Обеспечение технологического качества на производстве  
Декабрь 2018
Современный рынок электроники предъявляет высокие требования к качеству изготавливаемой электроники. Для соответствия этим требованиям производителю необходимо создать на своём предприятии определённую организационную инфраструктуру, которая должна охватывать все процессы компании. Для успешной реализации такого проекта требуется комплексный подход, при этом главный акцент ставится на обеспечен  
Практическое руководство по проектированию высокоскоростных печатных плат и систем. часть 1  
Декабрь 2018
Когда разработка является высокоскоростной?Кажется очевидным, что существует определенная скорость, ниже которой устройство считается «низкоскоростным» и не требует управления линией трансмиссии, как у ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), и скорость, выше которой данное управление необходимо, как у ЭСЛ (эмиттерно-связанная логика). Что не совсем очевидно, это когда разработка переходит из кл  
Результаты поиска 681 — 700 из 958
Поиск занял 166 мс.
Задать вопрос Новости

Исследователи разработали мемристор на основе синтетической ДНК и кристаллического перовскита. Устройство сочетает высокую плотность хранения данных,…

Российские исследователи разработали интеллектуальный модуль «нейропамяти» для беспилотных летательных аппаратов. Система предназначена для…

Перекрёстные помехи (Crosstalk) возникают, когда высокоскоростные сигналы одного канала из-за краевых электрических и магнитных полей создают…

Излучатель с поперечным размером около 60 нанометров и беспрецедентно узкой полосой генерации — примерно 0,15 нанометра — удалось получить…

Исследовательская группа из Лаборатории биоэлектроники и микросистем Бингемтонского университета разработала технологию производства электронных схем…

Исследователи из Индии разработали молекулярный мемристор. Как сообщается, устройство характеризуется 14-битным аналоговым разрешением и…

С 8 по 10 июля компания приняла участие в Международной выставке ДРОНЭКСПО-2026 в Казани.