Статьи о производстве печатных плат и электроники

III. ИЗМЕРЕНИЯ

Форма импульса импульсного напряжения, приложенного к затвору, показана на рисунке 4, а на рисунке 5 показана форма волны выходного…

12.03.2019 | Статьи | a-contract.ru

II. СЕЛЕКТОРНЫЙ ИМПУЛЬС И СХЕМА ЗАДАНИЯ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТИ

Рис.2 показывает диаграмму схемы импульса, а Рис.3 показывает схему в подробных деталях.…

08.03.2019 | Статьи | Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США

Мощные карбид кремниевые (SiC) полупроводниковые устройства в системах силовой электроники теперь стали еще надёжнее, об этом недавно сообщили…

06.03.2019 | Новости | a-contract.ru

Резюме

В данной статье изучается эффект от использования нормального смещения Класса А/В для GaN и LDMOS транзисторов кВт уровня, используемых в…

28.02.2019 | Статьи | Даниэль Койяма (Daniel Koyama), Апет Барсегян (Apet Barsegyan), Джон Уолкер (John Walker) Integra Technologies, Inc., El Segundo, CA 90245, США

Исследователи научно-исследовательского центра imec и специалисты компания Cadence Design Systems рассказали о том, что в ходе длительной совместной…

26.02.2019 | Новости | a-contract.ru

15 февраля 2019 г. в Старорусском подразделении А-КОНТРАКТ был открыт расширенный филиал контрактного производства по монтажу электронных блоков.…

18.02.2019 | Новости | a-contract.ru

Снижение перекрестных помех

Один из основных способов снижения перекрестных помех на дальнем конце – это снижение длины связывания между двумя…

15.02.2019 | Статьи | a-contract.ru

Компания Intel ведёт активные разработки в сфере объемной компоновки микросхем. Об этом специалисты Intel рассказали участникам «Дня архитектуры…

12.02.2019 | Новости | a-contract.ru

Так как был создан нарастающий фронт импульса, вопрос состоит в том, почему дальний конец показал отрицательный пик? Согласно закону Ленца, который…

08.02.2019 | Статьи | Mentor, A Siemens Business

Современные технологии в области микроэлектроники уже давно стоят на границе, по ту сторону которой начинают действовать ограничения, обусловленные…

05.02.2019 | Новости | a-contract.ru

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 3.

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 2.

Мощные полупроводниковые SiC устройства теперь стали еще надёжнее благодаря совместным усилия Mitsubishi Electric и Токийского университета

Использование GaN транзисторов кВт уровня в радиолокационных и авиационных системах. Часть 1.

Первая 3-нм тестовая микросхема - совместный проект Imec и Cadence.

Открытие завода А-КОНТРАКТ в Старой Руссе

Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 3.

От нехватки процессоров компанию Intel спасёт технология объемной компоновки логических микросхем

Концепции целостности сигнала: перекрестные помехи. Часть 2.

Созданы самые маленькие транзисторы.